RT - article
SR - Electronic
T1 - Светоизлучающие структуры на основе нестехиометрического нитрида кремния
JF - Известия Национальной академии наук Беларуси. Серия физико-математических наук
SP - 2018-10-31
DO - 10.29235/1561-2430-2018-54-3-360-368
A1 - Романов И. А., 
A1 - Пархоменко И. Н., 
A1 - Власукова Л. А., 
A1 - Комаров Ф. Ф., 
A1 - Ковальчук Н. С., 
A1 - Мильчанин О. В., 
A1 - Моховиков М. А., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Лу Хонг-Ланг , 
YR - 2018
UL - https://www.academjournals.by/publication/12933
AB - Методом химического газофазного осаждения на кремниевых подложках p-типа изготовлены две трехслойные структуры SiO2 /SiNx /SiO2 с нестехиометрическими пленками нитрида кремния, обогащенными кремнием (x = 0,9) или азотом (x = 1,4), в качестве активных слоев. Активные слои SiNx нестехиометрического состава (x = 0,9 и x = 1,4) получены при различном соотношении реагирующих газов (SiH2 Cl2 /NH3 ) в процессе осаждения (8/1 и 1/8 соответственно). Методами спектральной эллипсометрии и фотолюминесценции показано, что показатель преломления, поглощение и люминесцентные свойства зависят от стехиометрического состава нитрида кремния. Структуры с активными слоями нитрида с избытком кремния и азота излучают в красной (1,9 эВ) и синей (2,6 эВ) областях спектра соответственно, причем интенсивность свечения сравнима для двух образцов. Быстрая термическая обработка приводит к уменьшению интенсивности и сужению спектра фотолюминесценции образца с активным слоем SiN1,4 , тогда как для образца с активным слоем SiN0,9 наблюдается возрастание интенсивности люминесценции с уширением спектра в коротковолновую область после отжига. Природа видимого свечения и влияние термообработки объясняются c учетом существования протяженной зоны хвостовых состояний.Структуры с чередующимися слоями оксида и нитрида кремния представляют практический интерес для создания эффективных источников света на базе кремниевой технологии.