@article{Живулько В. Д.2024-08-01,
author = { Живулько В. Д.,  Мудрый А. В.,  Бородавченко О. М.,  Луценко Е. В.,  Павловский В. Н.,  Яблонский Г. П.,  Якушев М. В.},
title = {Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на излучательную рекомбинацию тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)<sub>2</sub> в структуре солнечных элементов},
year = {2024},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергией 4 МэВ на процессы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2 солнечных элементов. Установлено, что близкраевая фотолюминесценция (ФЛ) в области энергий ~0.9—1.2 эВ в необлученных и облученных пленках прямозонных твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 обусловлена оптическими межзонными переходами и излучательной рекомбинацией через энергетические уровни дефектов структуры акцепторного и донорного типа в условиях наличия сильных флуктуаций потенциала. По данным измерения спектров ФЛ в диапазоне температур 5—300 К обнаружен эффект энергетического смещения максимумов полос близкраевой ФЛ и перераспределения их интенсивности в тонких пленках после облучения электронами с различными дозами. По данным тушения интенсивности полос ФЛ определены энергии активации процессов безызлучательной рекомбинации. Обсуждается возможная природа дефектов структуры в необлученных и облученных электронами пленках твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15177},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15136},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}