%0 article
%A Живулько В. Д., 
%A Мудрый А. В., 
%A Бородавченко О. М., 
%A Луценко Е. В., 
%A Павловский В. Н., 
%A Яблонский Г. П., 
%A Якушев М. В., 
%T Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на излучательную рекомбинацию тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)<sub>2</sub> в структуре солнечных элементов
%D 2024
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергией 4 МэВ на процессы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2 солнечных элементов. Установлено, что близкраевая фотолюминесценция (ФЛ) в области энергий ~0.9—1.2 эВ в необлученных и облученных пленках прямозонных твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 обусловлена оптическими межзонными переходами и излучательной рекомбинацией через энергетические уровни дефектов структуры акцепторного и донорного типа в условиях наличия сильных флуктуаций потенциала. По данным измерения спектров ФЛ в диапазоне температур 5—300 К обнаружен эффект энергетического смещения максимумов полос близкраевой ФЛ и перераспределения их интенсивности в тонких пленках после облучения электронами с различными дозами. По данным тушения интенсивности полос ФЛ определены энергии активации процессов безызлучательной рекомбинации. Обсуждается возможная природа дефектов структуры в необлученных и облученных электронами пленках твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2.
%U https://www.academjournals.by/publication/15177