RT - article
SR - Electronic
T1 - Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на излучательную рекомбинацию тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)<sub>2</sub> в структуре солнечных элементов
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2024-08-01
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Бородавченко О. М., 
A1 - Луценко Е. В., 
A1 - Павловский В. Н., 
A1 - Яблонский Г. П., 
A1 - Якушев М. В., 
YR - 2024
UL - https://www.academjournals.by/publication/15177
AB - Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергией 4 МэВ на процессы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2 солнечных элементов. Установлено, что близкраевая фотолюминесценция (ФЛ) в области энергий ~0.9—1.2 эВ в необлученных и облученных пленках прямозонных твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 обусловлена оптическими межзонными переходами и излучательной рекомбинацией через энергетические уровни дефектов структуры акцепторного и донорного типа в условиях наличия сильных флуктуаций потенциала. По данным измерения спектров ФЛ в диапазоне температур 5—300 К обнаружен эффект энергетического смещения максимумов полос близкраевой ФЛ и перераспределения их интенсивности в тонких пленках после облучения электронами с различными дозами. По данным тушения интенсивности полос ФЛ определены энергии активации процессов безызлучательной рекомбинации. Обсуждается возможная природа дефектов структуры в необлученных и облученных электронами пленках твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2.