TY - JOUR T1 - Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на излучательную рекомбинацию тонких пленок Cu(In,Ga)(S,Se)2 в структуре солнечных элементов JF - Журнал прикладной спектроскопии AU - Живулько В. Д., AU - Мудрый А. В., AU - Бородавченко О. М., AU - Луценко Е. В., AU - Павловский В. Н., AU - Яблонский Г. П., AU - Якушев М. В., Y1 - 2024-08-01 UR - https://www.academjournals.by/publication/15177 N2 - Исследовано влияние облучения различными дозами электронов с энергией 4 МэВ на процессы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в тонких пленках Cu(In,Ga)(S,Se)2 солнечных элементов. Установлено, что близкраевая фотолюминесценция (ФЛ) в области энергий ~0.9—1.2 эВ в необлученных и облученных пленках прямозонных твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2 обусловлена оптическими межзонными переходами и излучательной рекомбинацией через энергетические уровни дефектов структуры акцепторного и донорного типа в условиях наличия сильных флуктуаций потенциала. По данным измерения спектров ФЛ в диапазоне температур 5—300 К обнаружен эффект энергетического смещения максимумов полос близкраевой ФЛ и перераспределения их интенсивности в тонких пленках после облучения электронами с различными дозами. По данным тушения интенсивности полос ФЛ определены энергии активации процессов безызлучательной рекомбинации. Обсуждается возможная природа дефектов структуры в необлученных и облученных электронами пленках твердых растворов Cu(In,Ga)(S,Se)2.