Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника

Толкачёв В. А.
2022

С положительным результатом тестируется возможность применения метода определения частоты чисто электронного перехода по молекулярным диффузным вибронным спектрам к определению ширины прямой запрещенной зоны (энергетической щели) полупроводников. Данным методом из спектра фотопроводимости определяется ширина прямой запрещенной зоны между валентной зоной и зоной фотопроводимости.

Толкачёв В. А. Чисто электронный оптический переход и прямая энергетическая щель полупроводника. Журнал прикладной спектроскопии. 2022;89(1):43-50. https://doi.org/10.47612/0514-7506-2022-89-1-43-50
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации