Вычисление плотности электронных состояний в валентной зоне из экспериментального спектра межзонного поглощения аморфных полупроводников
Для аморфного углерода сопоставлены результаты эксперимента и расчета плотности электронных состояний из аналитического вида спектра межзонного поглощения. Из аналитического вида спектра межзонного поглощения также определены коэффициент пропорциональности и энергетическая ширина щели подвижности как подгоночные параметры. Для спектра межзонного поглощения, описанного методом приближения Дэвиса—Мотта по формуле Кубо—Гринвуда, для параболических разрешенных зон получено выражение для определения плотности электронных состояний в валентной зоне аморфных полупроводников. С использованием этого выражения и спектра межзонного поглощения, полученного из эксперимента для аморфного углерода, показана возможность определения плотности электронных состояний в валентной зоне.