Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>

Бордун О. М.; Бордун Б. О.; Кухарский И. И.; Медвидь И. И.

Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga₂O₃

Бордун О. М., Бордун Б. О., Кухарский И. И., Медвидь И. И.

2021

Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.

Бордун О. М., Бордун Б. О., Кухарский И. И., Медвидь И. И. Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga₂O₃. Журнал прикладной спектроскопии. 2021;88(2):193-196.

Цитирование

Список литературы

1. K. Matsuzaki, H. Yanagi, T. Kamiya, H. Hiramatsu, K. Nomura, M. Hirano, H. Hosono. Appl. Phys. Lett., 88, N 9 (2006) 092106

2. N. D. Cuong, Y. W. Park, S. G. Yoon. Sens. and Actuat. B, Chem., 140, N 1 (2009) 240—244

3. M. Orita, H. Ohta, M. Hirano, H. Hosono. Appl. Phys. Lett., 77, N 6 (2000) 4166—4168

4. O. M. Bordun, B. O. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, I. I. Medvid, I. S. Zvizlo, D. S. Leonov. Nanosis-temi, Nanomateriali, Nanotehnologii, 17, N 3 (2019) 483—490

5. J.-G. Zhao, Zh.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chin. Phys. Lett., 25, N 10 (2008) 3787—3789

6. О. М. Бордун, Б. О. Бордун, И. И. Кухарский, И. И. Медвидь. Журн. прикл. спектр., 84, № 1 (2017) 56—62

7. P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth. Mater. Sci. Eng. B, 146, N 1-3 (2008) 252—255

8. T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata. Jpn. J. Appl. Phys., 39, N 6A (2000) L524—L526

9. Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии, Москва, Техносфера (2010)

10. О. М. Бордун, И. И. Кухарский, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанец. Журн. прикл. спектр., 81, № 5 (2014) 699—703

11. O. M. Bordun, I. I. Medvid, I. Y. Kukharskyy, B. O. Bordun. Phys. Chem. Solid State, 17, N 1 (2016) 53—59

12. M. V. Kurik. Phys. Status Solidi A, 8, N 1 (1971) 9—45

13. Е. Джонсон. Оптические свойства полупроводников. Полупроводниковые соединения типа А3В5, под ред. Р. Уиллардсона, А. Бира, Москва, Мир (1970) 166—277

14. А. Л. Эфрос. Успехи физ. наук, 111 (1973) 451—482

15. Н. Д. Довга. Физ. электрон., № 33 (1986) 86—88

Источник

Информация

Автор

Бордун О. М. Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Бордун Б. О. Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Кухарский И. И. Львовский национальный университет им. Ивана Франко
Медвидь И. И. Львовский национальный университет им. Ивана Франко

Страницы

193-196

Год издания

2021

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии

Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga2O3

Похожие публикации

Источник

Информация

Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga₂O₃