@article{Бордун О. М.2021-05-28,
author = { Бордун О. М.,  Бордун Б. О.,  Кухарский И. И.,  Медвидь И. И.},
title = {Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>},
year = {2021},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/15694},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/15650},
journal = {Журнал прикладной спектроскопии},
}