%0 article
%A Бордун О. М., 
%A Бордун Б. О., 
%A Кухарский И. И., 
%A Медвидь И. И., 
%T Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
%D 2021
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.
%U https://www.academjournals.by/publication/15694