PT - JOURNAL ARTICLE
AU - Бордун О. М., 
AU - Бордун Б. О., 
AU - Кухарский И. И., 
AU - Медвидь И. И., 
TI - Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
DP - 2021-05-28
TA - Журнал прикладной спектроскопии
SO - https://www.academjournals.by/publication/15694
AB - Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.