RT - article
SR - Electronic
T1 - Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2021-05-28
A1 - Бордун О. М., 
A1 - Бордун Б. О., 
A1 - Кухарский И. И., 
A1 - Медвидь И. И., 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/15694
AB - Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.