TY  - JOUR
T1  - Плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>
JF  - Журнал прикладной спектроскопии
AU  - Бордун О. М., 
AU  - Бордун Б. О., 
AU  - Кухарский И. И., 
AU  - Медвидь И. И., 
Y1  - 2021-05-28
UR  - https://www.academjournals.by/publication/15694
N2  - Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок β-Ga2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при отжиге пленок в кислороде, аргоне и водороде край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволило определить радиус основного электронного состояния а, радиус экранирования rs и среднеквадратичный потенциал А.