RT - article
SR - Electronic
T1 - Влияние состава атмосферы высокочастотного распыления на плотность состояний и межзонное поглощение света в тонких пленках Y2O3
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2021-11-27
DO - 10.47612/0514-7506-2021-88-6-881-886
A1 - Бордун О. М., 
A1 - Бордун И. О., 
A1 - Кофлюк И. Н., 
A1 - Кухарский И. И., 
A1 - Медвидь И. И., 
YR - 2021
UL - https://www.academjournals.by/publication/15788
AB - Исследован длинноволновый край полосы фундаментального поглощения тонких пленок Y2O3, полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления. Показано, что при нанесении пленок в атмосфере аргона, кислорода или смеси данных газов край межзонного поглощения хорошо аппроксимируется эмпирическим правилом Урбаха. Для анализа экспериментальных результатов рассмотрены дифрактограммы полученных пленок и использована модель сильнолегированного или дефектного полупроводника в квазиклассическом приближении. Использование данной модели позволяет определить радиус основного электронного состояния, радиус экранирования и среднеквадратичный потенциал в зависимости от атмосферы распыления.