Стимулированное излучение в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2, облученных протонами

Свитенков И. Е., Павловский В. Н., Луценко Е. В., Яблонский Г. П., Мудрый А. В., Бородавченко О. М., Живулько В. Д., Якушев М. В.
2020

Исследованы спонтанное и стимулированное излучение (СИ) тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, осажденных на натрийсодержащие стеклянные подложки и облученных протонами с энергиями 2.5 кэВ дозами 1014—1017 см-2 при возбуждении импульсами лазерного излучения наносекундной длительности в диапазоне плотности мощности 5—100 кВт/см2. В пленках, облученных протонами с дозами 1014—1015 см-2, обнаружено увеличение интенсивности и уменьшение порога появления СИ по сравнению с необлученными пленками. При дозе облучения 1016 см-2 наблюдаются увеличение порога СИ и уменьшение интенсивности. После облучения дозой 1017 см-2 интенсивность излучения резко падает и порог СИ не достигается. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых эффектов.

Свитенков И. Е., Павловский В. Н., Луценко Е. В., Яблонский Г. П., Мудрый А. В., Бородавченко О. М., Живулько В. Д., Якушев М. В. Стимулированное излучение в тонких пленках Cu(In,Ga)Se2, облученных протонами. Журнал прикладной спектроскопии. 2020;87(6):905-910.
Цитирование

Список литературы

Похожие публикации

Источник