RT - article
SR - Electronic
T1 - Стимулированное излучение в тонких пленках Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>, облученных протонами
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2020-11-27
A1 - Свитенков И. Е., 
A1 - Павловский В. Н., 
A1 - Луценко Е. В., 
A1 - Яблонский Г. П., 
A1 - Мудрый А. В., 
A1 - Бородавченко О. М., 
A1 - Живулько В. Д., 
A1 - Якушев М. В., 
YR - 2020
UL - https://www.academjournals.by/publication/15962
AB - Исследованы спонтанное и стимулированное излучение (СИ) тонких пленок Cu(In,Ga)Se2, осажденных на натрийсодержащие стеклянные подложки и облученных протонами с энергиями 2.5 кэВ дозами 1014—1017 см-2 при возбуждении импульсами лазерного излучения наносекундной длительности в диапазоне плотности мощности 5—100 кВт/см2. В пленках, облученных протонами с дозами 1014—1015 см-2, обнаружено увеличение интенсивности и уменьшение порога появления СИ по сравнению с необлученными пленками. При дозе облучения 1016 см-2 наблюдаются увеличение порога СИ и уменьшение интенсивности. После облучения дозой 1017 см-2 интенсивность излучения резко падает и порог СИ не достигается. Обсуждаются возможные причины наблюдаемых эффектов.