УСИЛЕНИЕ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА С ПРИМЕНЕНИЕМ Au/Si-Ge- И Au/Ge-НАНОСТРУКТУР

Мацукович А. С.; Наливайко О. Ю.; Чиж К. В.; Гапоненко С. В.

УСИЛЕНИЕ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА С ПРИМЕНЕНИЕМ Au/Si-Ge- И Au/Ge-НАНОСТРУКТУР

Мацукович А. С., Наливайко О. Ю., Чиж К. В., Гапоненко С. В.

2019

Показана возможность усиления комбинационного рассеяния света с помощью Au/SiGe- и Au/Ge-подложек, полученных методами химического осаждения слоев SiGe и Ge из газовой фазы при пониженном давлении на кремниевые подложки и термического осаждения золота. На основе анализа поверхности подложек методом сканирующей зондовой микроскопии определена форма образовавшихся наноструктур - конусообразные наностержни. Данные наноструктуры позволяют получить усиление комбинационного рассеяния света митоксантрона (С = 10- 5 М) как минимум на 2-3 порядка. Показано, что при возбуждении гигантского комбинационного рассеяния света (ГКР) на длине волны 785 нм наблюдается дополнительное усиление ГКР-сигнала от 1.7 до 4.3 раза для Au/Ge и от 1.5 до 5.5 раза для Au/SiGe-подложек.

Мацукович А. С., Наливайко О. Ю., Чиж К. В., Гапоненко С. В. УСИЛЕНИЕ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА С ПРИМЕНЕНИЕМ Au/Si-Ge- И Au/Ge-НАНОСТРУКТУР. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(1):84-88.

Цитирование

Список литературы

1. K. Kneipp, H. Kneipp, I. Itzkan, R. R. Dasari, M. S. Feld. Chem. Rev., 99 (1999) 2957-2975

2. S. V. Gaponenko, D. V. Guzatov. Chem. Phys. Lett., 477 (2009) 411-414

3. K. Kneipp, M. Moskovits, H. Kneipp. Surface-Enhanced Raman Scattering - Physics and Applications, Springer, Heidelberg and Berlin (2006)

4. K. Kneipp, H. Kneipp, I. Itzkan, R. R. Dasari, M. S. Feld. J. Phys.: Condens. Matter, 14, N 18 (2002) R597

5. S. L. Kleinman, R. R. Frontiera, A. I. Henry, J. A. Dieringer, R. P. Van Duyne. Phys. Chem. Chem. Phys., 15, N 1 (2013) 21-36

6. И. Ю. Стецюра, Д. А. Горин. Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика, 13, № 2 (2013) 84-87

7. R. K. Iler. J. Colloid Interface Sci., 21 (1966) 569-594

8. R. Singhal, A. Chaubey, K. Kaneto, W. Takashima, B. D. Malhotra. Biotech. Bioeng., 85, N 3 (2004) 277-282

9. H. Ko, S. Singamaneni, V. V. Tsukruk. Small, 4 (2008) 1576-1599

10. S. V. Gaponenko, A. A. Gaiduk, O. S. Kulakovich, S. A. Maskevich, N. D. Strekal, O. A. Prokhorov, V. M. Shelekhin. JETP Lett., 74, N 6 (2001) 309-311

11. О. С. Кулакович, Е. В. Шабуня-Клячковская, А. С. Мацукович, Л. Л. Троцюк, С. В. Гапоненко. Журн. прикл. спектр., 83, № 5 (2016) 824-828 [О. S. Kulakovich, E. V. Shabunya-Klyachkovskaya, A. S. Matsukovich, L. L. Trotsiuk, S. V. Gaponenko. J. Appl. Spectr., 83 (2016) 860-863]

12. Е. В. Клячковская, Н. Д. Стрекаль, И. Г. Мотевич, С. В. Ващенко, М. Я. Валах, А. Н. Горбачева, М. В. Бельков, С. В. Гапоненко. Опт. и спектр., 110, № 1 (2011) 53-59

13. E. Klyachkovskaya, N. Strekal, I. Motevich, S. Vaschenko, A. Harbachova, M. Belkov, S. Gaponenko, C. Dais, H. Sigg, T. Stoica, D. Grützmacher. Plasmonics, 6, N 2 (2011) 413-418

14. T. Wang, Z. Zhang, F. Liao, Q. Cai, Y. Li, S.-T. Lee, M. Shao. Sci. Rep., 4 (2014) 1-8

15. X. Ding, L.-T. Kong, J. Wang, F. Fang, D. Li, J. Liu. ACS Appl. Mat. & Int. (2013) 1-21

16. L. Chen, L. Luo, Z. Chen, M. Zhang, J. A. Zapien, C. S. Lee, S. T. Lee. J. Phys. Chem. C, 114 (2010) 93-100

17. X. Wang, W. Shi, G. She, L. Mu. J. Am. Chem. Soc., 133 (2011) 16518-16523

18. S. D. Alvarez, A. M. Derfus, M. P. Schwartz, S. N. Bhatia, M. J. Sailor. Biomaterials, 30 (2009) 26-34

Источник

Информация

Автор

Мацукович А. С. Институт физики НАН Беларуси
Наливайко О. Ю. ОАО “ИНТЕГРАЛ” управляющая компания холдинга “ИНТЕГРАЛ”
Чиж К. В. Институт общей физики им. А. М. Прохорова Российской АН
Гапоненко С. В. Институт физики НАН Беларуси

Страницы

84-88

Год издания

2019

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии