ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs, МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМОЙ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ

Liang; Wang F. .; Luo X. .; Li Q. .; Lin T. .; Ferguson I. T.; Yang Q. .; Wan L. .; Feng Z. C.

ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs, МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМОЙ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ

Liang , Wang F. ., Luo X. ., Li Q. ., Lin T. ., Ferguson I. T., Yang Q. ., Wan L. ., Feng Z. C.

2019

Тонкие пленки InSb выращены на подложках GaAs методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения и исследованы с помощью температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии (TD-SE). Найдены показатель преломления, коэффициент экстинкции и диэлектрическая проницаемость пленок InSb. Изменение энергий критических точек (E1, E1 + Δ1, E2, E1'), связанное с переходами InSb в возбужденном состоянии, и вторых производных диэлектрической функции по энергии при разных температурах показывает, что тонкая пленка InSb обладает высокой стабильностью электрических и оптических свойств в исследуемом температурном диапазоне. Анализ TD-SE позволил установить область температур для использования устройств на основе InSb/GaAs. Выше 250oC InSb интенсивно окисляется, образуя тонкий слой In-O, вызывающий значительное изменение оптических констант. Показано, что оптимизированные тонкие пленки InSb, выращенные на подложках GaAs, обладают хорошими оптическими и структурными свойствами.

Liang , Wang F. ., Luo X. ., Li Q. ., Lin T. ., Ferguson I. T., Yang Q. ., Wan L. ., Feng Z. C. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs, МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМОЙ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ. Журнал прикладной спектроскопии. 2019;86(2):262-269.

Цитирование

Список литературы

1. V. K. Dixit, B. V. Rodrigues, H. L. Bhat, J. Appl. Phys., 90, 1750-1753 (2001).

2. V. K. Dixit, B. V. Rodrigues, H. L. Bhat, R. Venkataraghavan, K. S. Chandrasekaran, B. M. Arora, J. Cryst. Growth, 235, 154-160 (2002).

3. T. D. Mishima, M. B.Santos, J. Vac. Sci. Technol. B, B, 1472-1474 (2004).

4. M. Shafa, H. Ji, L. Gao, P. Yu, Q. H. Ding, Z. H. Zhou, H. D. Li, X. B. Niu, J. Wu, Z. M. Wang, Mater. Lett., 169, 77-81 (2016).

5. M. Hilal, B. Rashid, S. H. Khan, A. Khan, Mater. Chem. Phys., 184, 41-48 (2016).

6. P. Ciochon´, N. Olszowska, S. Wróbel, J. Kołodziej, Appl. Surf. Sci., 400, 154-161 (2017).

7. Y. Contreras, A. J. Muscat, Appl. Surf. Sci., 370, 67-75 (2016).

8. I. D. Burlakova, K. O. Boltara, P. V. Vlasova, A. A. Lopukhina, A. I. Toropovd, K. S. Zhuravlevd, V. V. Fadeev, J. Commun. Technol. Electron., 62, 309-313 (2017).

9. A. V. Filatov, E. V. Susov, V. V. Karpov, V. A. Zhilkin, S. P. Ljubchenko, N. S. Kusnezov, A. V. Marushchenko, J. Commun. Technol. Electron., 62, 326-330 (2017).

10. V. Pusino, C. Z. Xie, A. Khalid, I. G. Thayne, D. R. S. Cumming, Microelectron. Eng., 153, 11-14 (2016).

11. T. Miyazaki, M. Kunugi, Y. Kitamura, S. Adachi, Thin Solid Films, 28, 51-56 (1996).

12. K. Li, A. T. S. Wee, J. Lin, K. K. Lee, F. Watt, K. L. Tan, Z. C. Feng, J. B. Webb, Thin Solid Films, 302, 111-115 (1997).

13. Y. Iwamura, N. Watanabe, J. Cryst. Growth, 124, 371-376 (1992).

14. Z. C. Feng, C. Beckham, P. Schumaker, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 450, 450 (1997).

15. M. A. Mckee, B.-S. Yoo, R. A. Stall, J. Cryst. Growth, 124, 286-291 (1992).

16. M. Razeghi, EPJAP, 23, 149-205 (2003).

17. T. J. Kim, S. Y. Hwang, J. Choi, J. S. Byun, M. S. Diware, H. G. Park, Y. D. Kim, J. Korean Phys. Soc., 61, 439-443 (2012).

18. T. J. Kim, S. Y. Hwang, J. S. Byun, M. S. Diware, J. Choi, H. G. Park, Y. D. Kim, J. Appl. Phys., 114, 103501 (2013).

19. T. J. Kim, J. S. Byun, J. Choi, H. G. Park, Y. R. Kang, J. C. Park, Y. D. Kim, J. Korean Phys. Soc., 64, 1872-1877 (2014).

20. V. R. D'Costa, K. H. Tan, B. W. Jia, S. F. Yoon, Y. C. Yeo, J. Appl. Phys., 117, 223106 (2015).

21. H. Sano, G. Mizutani, AIP Adv., 5, 117110 (2015).

22. E. B. Elkenany, Silicon, 8, 391-396 (2016).

23. T. R. Yang, Y. Cheng, J. B. Wang, Z. C. Feng, Thin Solid Films, 498, 158-162 (2006).

24. G. E. Jellison Jr, F. A. Modine, Appl. Phys. Lett., 69, 371 (1996).

25. S. Chen, Q. X. Li, I. Ferguson, T. Lin, L. Y. Wan, Z. C. Feng, L. Zhu, Z. Z. Ye, Appl. Surf. Sci., 421, 383-388 (2017).

26. D. Xie, Z. R. Qiu, Y. Liu, D. N. Talwar, L. Y. Wan, X. Zhang, T. Mei, I. T. Ferguson, Z. C. Feng, Mater. Res. Express, 4, 025903 (2017).

27. H. Fujiwara, Spectroscopic Ellipsometry: Principles and Applications, John Wiley & Sons, 181-184 (2007).

28. D. E. Aspnes, A. A. Studna, Phys. Rev. B, 27, 985 (1983).

29. T. J. Kim, J. J. Yoon, S. Y. Hwang, D. E. Aspnes, Y. D. Kim, H. J. Kim, Y. C. Chang, J. D. Song, Appl. Phys. Lett., 95, 11902 (2009).

Источник

Информация

Автор

Liang Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Wang F. . Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Luo X. . Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Li Q. . Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Lin T. . Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Ferguson I. T. Миссурийский университет науки и технологии
Yang Q. . Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Wan L. . Физико-технический колледж, Университет Гуанси
Feng Z. C. Физико-технический колледж, Университет Гуанси

Страницы

262-269

Год издания

2019

Ключевые слова

Коллекции

Журнал прикладной спектроскопии