%0 article
%A Liang  , 
%A Wang F. ., 
%A Luo X. ., 
%A Li Q. ., 
%A Lin T. ., 
%A Ferguson I. T., 
%A Yang Q. ., 
%A Wan L. ., 
%A Feng Z. C., 
%T ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ТОНКИХ ПЛЕНОК InSb, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОДЛОЖКАХ GaAs, МЕТОДОМ ТЕМПЕРАТУРНО-ЗАВИСИМОЙ СПЕКТРОСКОПИЧЕСКОЙ ЭЛЛИПСОМЕТРИИ
%D 2019
%J Журнал прикладной спектроскопии
%X Тонкие пленки InSb выращены на подложках GaAs методом химического осаждения из газовой фазы путем термического разложения и исследованы с помощью температурно-зависимой спектроскопической эллипсометрии (TD-SE). Найдены показатель преломления, коэффициент экстинкции и диэлектрическая проницаемость пленок InSb. Изменение энергий критических точек (E1, E1 + Δ1, E2, E1'), связанное с переходами InSb в возбужденном состоянии, и вторых производных диэлектрической функции по энергии при разных температурах показывает, что тонкая пленка InSb обладает высокой стабильностью электрических и оптических свойств в исследуемом температурном диапазоне. Анализ TD-SE позволил установить область температур для использования устройств на основе InSb/GaAs. Выше 250oC InSb интенсивно окисляется, образуя тонкий слой In-O, вызывающий значительное изменение оптических констант. Показано, что оптимизированные тонкие пленки InSb, выращенные на подложках GaAs, обладают хорошими оптическими и структурными свойствами. 
%U https://www.academjournals.by/publication/16025