Бордун О. М., Бордун Б. О., Кухарский И. И., Медвидь И. И. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК b-Ga2O3, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ. Журнал прикладной спектроскопии. 2017;84(1):56-62.
1. M. Passlack, M. Hong, E. F. Schubert, J. R. Kwo, J. P. Mannaerts, S. N. G. Chu, N. Moriya, F. A. Thiel. Appl. Phys. Lett., 66, N 5 (1995) 625-629
2. J.-G. Zhao, Z.-X. Zhang, Z.-W. Ma, H.-G. Duan, X.-S. Guo, E.-Q. Xie. Chinese Phys. Lett., 25, N 10, (2008) 3787-3789
3. K. Shimamura, E. G. Víllora, T. Ujiie, K. Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, N 20 (2008) 201914 (1-3)
4. P. Wellenius, A. Suresh, J. V. Foreman, H. O. Everitt, J. F. Muth. Mater. Sci. Eng. B, 146, N 1-3 (2008) 252-255
5. T. Minami, T. Shirai, T. Nakatani, T. Miyata. Jpn. J. Appl. Phys., 39, N 6A (2000) L524-L526
6. T. Miyata, T. Nakatani, T. Minami. Thin Sol. Films, 373 (2000) 145-149
7. Z. Ji, J. Du, J. Fan, W. Wang. Opt. Mater., 28, N 4 (2006) 415-417
8. Y. Nakano, T. Jimbo. Appl. Phys. Lett., 82, N 2 (2003) 218-220
9. T. Minami, Y. Kuroi, T. Miyata, H. Yamada, S. Takata. J. Lumin., 72-74 (1997) 997-998
10. S.-A. Lee, S.-Y. Jeong, J.-Y. Hwang, J.-P. Kim, M.-G. Ha, C.-R. Cho. Integr. Ferroelectr., 74, N 1 (2005) 173-180
11. В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич. ФТП, 47, № 5 (2013) 598-603
12. Y. Kokubun, K.Miura, F. Endo, S. Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, N 3 (2007) 031912 (1-3)
13. J. Hao, M. Cocivera. J. Phys. D: Appl. Phys., 35, N 5 (2002) 433-438
14. Y. Wei, Y. Jinliang, W. Jiangyan, Z. Liying. J. Semicond., 33, N 7 (2012) 073003 (1-4)
15. Технология тонких пленок, справочник в 2-х т., Т. 1, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, Москва, Сов. радио (1977)
16. Е. В. Берлин, Л. А. Сейдман. Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии, Москва, Техносфера (2010)
17. О. М. Бордун, И. И. Кухарский, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанец. Журн. прикл. спектр., 81, № 5 (2014) 699-703 [O. M. Bordun, I. Yo. Kukharskyy, B. O. Bordun, V. B. Lushchanets. J. Appl. Spectr., 81, N 5 (2014) 771-775]
18. М. В. Фок. Тр. ФИАН, 59 (1972) 3-24
19. N. Ueda, H. Hosono, R. Waseda, H. Kawazoe. Appl. Phys. Lett., 70 (1997) 3561 (1-4)
20. Ч. Б. Лущик, А. Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов в твердых телах, Москва, Наука (1989)
21. T. Harwig, F. Kellendonk. J. Solid State Chem., 24, N 3-4 (1978) 255-263
22. L. Binet, D. Gourier. J. Phys. Chem. Solids, 59, N 8 (1998) 1241-1249
23. Т. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов, Киев, Техника (1986) 152
24. B. Liu, M. Gu, X. Liu. Appl. Phys. Lett., 91, N 17 (2007) 172102 (1-3)
25. M. Mohamed, C. Janowtz, I. Unger, R. Manzke, Z. Galazka, R. Uecker, R. Formari, J. R. Weber, J. B. Varley, C. G. Van der Walle. Appl. Phys. Lett., 97, N 21 (2010) 211903 (1-3)
26. L. Binet, D. Gourier. Appl. Phys. Lett., 77, N 8 (2000) 1138-1140
27. J. Zhang, B. Li, C. Xia, G. Pei, Q. Deng, Z. Yang, W. Xu, H. Shi, F. Wu, Y. Wu, J. Xu. J. Phys. Chem. Solids, 67, N 12 (2006) 2448-2451
