RT - article
SR - Electronic
T1 - ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК b-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>, ПОЛУЧЕННЫХ ИОННО-ПЛАЗМЕННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Бордун О. М., 
A1 - Бордун Б. О., 
A1 - Кухарский И. И., 
A1 - Медвидь И. И., 
YR - 2017
UL - https://www.academjournals.by/publication/16349
AB - Исследованы спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения тонких пленок b-Ga2O3, полученных высокочастотным ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона. Методом Аленцева-Фока проведено разложение спектров фотолюминесценции на элементарные составляющие. Рассмотрена природа двух интенсивных полос с максимумами 2.95 и 3.14 эВ, а также двух слабоинтенсивных полос с максимумами 3.90 и 4.25 эВ. Две интенсивные полосы связываются с ассоциатом, обусловленным взаимодействием вакансий кислорода и галлия, слабоинтенсивные - с рекомбинацией экситонов на квантовых ямах, сформированных акцепторными кластерами. Установлено, что постоянная времени затухании для полосы с максимумом 3.14 эВ составляет 105 мкс, а для полосы с максимумом 2.95 эВ - 114 мкс. Близость постоянных времени затухания этих полос подтверждает их связь с общим ассоциатом.