RT - article
SR - Electronic
T1 - УМЕНЬШЕНИЕ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ И ИЗЛУЧЕНИЯ КРАЯ ПОЛОСЫ ПОЛУЧЕННЫХ ЗОЛЬ-ГЕЛЬ МЕТОДОМ ТОНКИХ ПЛЕНОК ОКСИДА ЦИНКА, ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ
JF - Журнал прикладной спектроскопии
SP - 2025-03-12
A1 - Grace Masih V. ., 
A1 - Kumar N. ., 
A1 - Srivastava A. ., 
YR - 2017
UL - https://www.academjournals.by/publication/16523
AB - Тонкие пленки оксида цинка, легированного никелем (Zn1- x  NixO), показывают красное смещение оптической запрещенной зоны и края полосы фотолюминесценции. В тонких пленках Zn1- x  NixO, полученных методом золь-гелевого центрифугирования, имеет место уменьшение ширины запрещенной зоны от 3.23 до 3.00 эВ при увеличении концентрации никеля от x = 0.00 до x = 0.06. Все тонкие пленки Zn1- x  NixO имеют гексагональную структуру вюрцита и показывают уменьшение энергии края полосы эмиссии на 119 мэВ при увеличении концентрации легирующей примеси. Рентгеноструктурная спектроскопия свидетельствует об образовании ZnO в пленках; ИК-фурье-спектроскопия в ближней ИК области подтверждает это. Энергодисперсионный рентгеновский анализ также выявляет присутствие Ni в пленках и дает количество легирующей примеси, присутствующей в пленках. Сканирующая электронная микроскопия показывает, что все легированные Ni тонкие пленки ZnO обладают гранулярной морфологией поверхности.