@article{Романов И. А.2025-02-26,
author = { Романов И. А.,  Ковальчук Н. С.,  Власукова Л. А.,  Пархоменко И. Н.,  Комаров Ф. Ф.,  Демидович С. А.},
title = {Механизмы резистивного переключения в мемристорах на основе слоев нестехиометрического нитрида кремния},
year = {2025},
doi = {10.29235/1561-8323-2025-69-1-23-31},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры Ni/SiNx/p+Si/Ni. Пленки нитрида кремния толщиной ~40–60 нм осаждались в индуктивно-связанной плазме из смеси SiH4–N2–Ar при соотношениях [SiH4]/[N2], равных 2,19 и 2,55, что обеспечивало получение SiNx с избытком кремния в сравнении со стехиометрией. Для оценки воздействия термоотжига на резистивные свойства SiNx одна из пластин с нитридной пленкой проходила быструю термообработку (БТО, 1200 °С, 3 мин в Ar). Эффект резистивного переключения наблюдался при приложении напряжения от −4 до +10 В для тестовых структур на основе нитридных пленок, характеризующихся показателями преломления 2,34 и 2,5. Показано, что проводимость и механизм транспорта заряда в пленках с резистивными свойствами зависят от условий осаждения и последующей термообработки нитридной пленки. Обсуждаются возможные механизмы резистивного переключения.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2177},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2175},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}