TY  - JOUR
T1  - Механизмы резистивного переключения в мемристорах на основе слоев нестехиометрического нитрида кремния
JF  - Доклады Национальной академии наук Беларуси
DO  - 10.29235/1561-8323-2025-69-1-23-31
AU  - Романов И. А., 
AU  - Ковальчук Н. С., 
AU  - Власукова Л. А., 
AU  - Пархоменко И. Н., 
AU  - Комаров Ф. Ф., 
AU  - Демидович С. А., 
Y1  - 2025-02-26
UR  - https://www.academjournals.by/publication/2177
N2  - Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры Ni/SiNx/p+Si/Ni. Пленки нитрида кремния толщиной ~40–60 нм осаждались в индуктивно-связанной плазме из смеси SiH4–N2–Ar при соотношениях [SiH4]/[N2], равных 2,19 и 2,55, что обеспечивало получение SiNx с избытком кремния в сравнении со стехиометрией. Для оценки воздействия термоотжига на резистивные свойства SiNx одна из пластин с нитридной пленкой проходила быструю термообработку (БТО, 1200 °С, 3 мин в Ar). Эффект резистивного переключения наблюдался при приложении напряжения от −4 до +10 В для тестовых структур на основе нитридных пленок, характеризующихся показателями преломления 2,34 и 2,5. Показано, что проводимость и механизм транспорта заряда в пленках с резистивными свойствами зависят от условий осаждения и последующей термообработки нитридной пленки. Обсуждаются возможные механизмы резистивного переключения.