@article{Комаров Ф. Ф.2020-08-29,
author = { Комаров Ф. Ф.,  Романов И. А.,  Власукова Л. А.,  Пархоменко И. Н.,  Цивако А. А.,  Ковальчук Н. С.},
title = {Мемристорная структура с эффектом переключения сопротивления на основе тонких пленок нитрида кремния},
year = {2020},
doi = {10.29235/1561-8323-2020-64-4-403-410},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {Исследованы электрофизические свойства и эффект резистивного переключения мемристорной структуры ITO/SiNx/Si. Пленка нитрида кремния толщиной ~200 нм с изменяющимся по глубине соотношением Si/N нанесена методом химического осаждения из газовой фазы при низком давлении. Концентрация избыточных атомов кремния в пленке SiNx, определенная методом обратного резерфордовского рассеяния, увеличивается от 9 до 44 % по мере продвижения в глубь образца. Результаты исследования вольт-амперных характеристик структур ITO/ SiNx/Si-p показали, что механизм проводимости в состоянии с высоким сопротивлением определяется свойствами нитридной пленки и описывается моделью Пула-Френкеля, учитывающей перескоковый характер движения электронов между ловушками. Переключение в состояние с низким сопротивлением, вероятно, вызвано миграцией ионов индия или олова из контакта ITO в слой SiNx. После переключения в состояние с низким сопротивлением проводимость структуры ITO/SiNx/Si определяется комбинацией механизмов инжекции носителей заряда из контакта и механизмов переноса носителей заряда через диэлектрический слой. Изменение полярности приложенного к структуре напряжения приводит к разрушению проводящего канала и переключению структуры в состояние с высоким сопротивлением. Для структуры ITO/SiNx/Si обнаружен эффект фотопереключения, что открывает новые возможности использования мемристоров в системах кремниевой оптоэлектроники.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2521},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2519},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}