РАСЧЕТ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАМКАХ МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ
2015
В рамках теории функционала плотности развит метод расчета ширины запрещенной зоны полупроводников. Рассчитана ширина запрещенной зоны для ряда одноатомных и двухатомных полупроводников Sn, Ge, Si, С, BN(c), SiC((3)(F43m), 2H-SiC(P63mc), A1N, GaN. Метод позволил получить значения ширины запрещенной зоны практически с экспериментальной степенью точности. На примере дефекта вакансия–кислород (А-центр) показано, что развитый метод может быть использован также для расчета как локализованных состояний (энергии глубоких уровней дефектов в кристалле), так и электронных свойств наноструктур.
ГУСАКОВ В. Е. РАСЧЕТ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАМКАХ МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ. Доклады Национальной академии наук Беларуси. 2015;59(1):53-57.
Цитирование
Список литературы