@article{ГУСАКОВ В. Е.2016-05-24,
author = { ГУСАКОВ В. Е.},
title = {РАСЧЕТ ШИРИНЫ ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАМКАХ МЕТОДА ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ},
year = {2015},
publisher = {NP «NEICON»},
abstract = {В рамках теории функционала плотности развит метод расчета ширины запрещенной зоны полупроводников. Рассчитана ширина запрещенной зоны для ряда одноатомных и двухатомных полупроводников Sn, Ge, Si, С, BN(c), SiC((3)(F43m), 2H-SiC(P63mc), A1N, GaN. Метод позволил получить значения ширины запрещенной зоны практически с экспериментальной степенью точности. На примере дефекта вакансия–кислород (А-центр) показано, что развитый метод может быть использован также для расчета как локализованных состояний (энергии глубоких уровней дефектов в кристалле), так и электронных свойств наноструктур.},
URL = {https://www.academjournals.by/publication/2977},
eprint = {https://www.academjournals.by/files/2959},
journal = {Доклады Национальной академии наук Беларуси},
}